| 姓名 |
王沛志 |
性別 |
男 |
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| 出生年月 |
1992.1
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行政職務(wù) |
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| 學歷 |
博士研究生 |
學位 |
博士 |
| 專業(yè)技術(shù)職務(wù)及任導師情況 |
研究員，博士研究生導師 |
| 所在一級學科名稱 |
機械工程 |
| 所在二級學科名稱 |
機械設(shè)計及理論 |
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學術(shù)身份
山東大學齊魯青年學者
學術(shù)兼職
國際納米制造協(xié)會（ISNM）會員、國際工程技術(shù)促進會（AET）會員、國際期刊Nanomanufacturing and Metrology青年編委，Int J Mech Sci、J Clean Prod、Ceram Int、Mat Sci Semicon Proc等期刊審稿人。
國內(nèi)外學習和工作經(jīng)歷
2010.09-2014.06，山東大學，機械設(shè)計制造及其自動化，工學學士
2014.09-2020.06，山東大學，機械設(shè)計及理論，工學博士
2020.09-2023.12，愛爾蘭都柏林大學，博士后研究員
2024.01-至今，山東大學機械工程學院，研究員、博士研究生導師
研究領(lǐng)域
（1）半導體材料的磨粒加工技術(shù)
（2）半導體材料的原子級制造
參與科研項目情況
[1] Enterprise Ireland，EyeVU - Miniaturised Endoscope Camera Development，2022-2023，參與
[2] 愛爾蘭國家科學基金（SFI），Ultra-precision machining in medical device manufacturing（15/RP/B3208），2020-2021，參與
[3] 國家自然科學基金，樹脂金剛石線鋸鋸切硅晶體最小切片厚度研究（No.51775317），2017-2020，參與
[4] 美國國家科學基金（NSF），Diamond wire slicing of crystalline silicon materials with application to manufacturing of high quality solar cell substrates（CMMI No.1538293），2018-2019，參與
近期代表性論文
[1] Wang P, Fang FZ. (2023). Defect-mediated atomic layer etching processes on Cl-Si (100): An atomistic insight. Journal of Physical Chemistry C, 43, 21106-21113.
[2] Wang P, Fang FZ. (2023). Ab initio simulations of ultrashort laser pulse interaction with Cl-Si (100): implications for atomic layer etching. Physical Chemistry Chemical Physics, 25(31), 20871-20879.
[3] Wang P, Castelli M, Fang FZ. (2023). Mechanism of photo-assisted atomic layer etching of chlorinated Si (111) surfaces: Insights from DFT/TDDFT calculations. Materials Science in Semiconductor Processing, 153, 107169
[4] Wang P, Fang FZ. (2022). Real-time time-dependent DFT study of laser-enhanced atomic layer etching of silicon for damage-free nanostructure fabrication. Journal of Applied Physics, 132, 144303
[5] Wang P, Wang J, Fang FZ. (2021). Study on mechanisms of photon-induced material removal on silicon at atomic and close-to-atomic scale. Nanomanufacturing and Metrology, 4, 216–225.
[6] Wang P, Wang B, Melkote SN. (2020). Modeling and simulation of phase transformation and crack formation during scribing of mono-crystalline silicon. International Journal of Mechanical Sciences, 175, 105527.
[7] Wang P, Ge P, Ge M, et al. (2019). Material removal mechanism and crack propagation in single scratch and double scratch tests of single-crystal silicon carbide by abrasives on wire saw. Ceramics International, 45(1), 384-393.
[8] Wang P, Ge P, Bi W, et al. (2019). Interaction of lateral cracks in double scratching of single-crystal silicon carbide. Theoretical and Applied Fracture Mechanics, 104, 102378.
[9] Wang P, Ge P, Bi W, et al. (2018). Stress analysis in scratching of anisotropic single-crystal silicon carbide. International Journal of Mechanical Sciences, 141, 1-8.
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